新日本無線開發(fā)完成高隔離度SPDT開關(guān)GaAs MMIC NJG1666MD7

　近年來，隨著裝載有FM和1seg等多數(shù)調(diào)諧器的設(shè)備的增加，市場(chǎng)需求用于分離接收信號(hào)的具有高隔離度的SPDT開關(guān)。為了適應(yīng)市場(chǎng)的要求，新日本無線開發(fā)了最適合于信號(hào)分離的SPDT開關(guān)系列產(chǎn)品。要求更高隔離度的STB※和TV調(diào)諧器等設(shè)備把已有的SPDT開關(guān)多段連接使用或使用分立電路。NJG1666MD7是實(shí)現(xiàn)了使要求高隔離度特性的設(shè)備更加容易把信號(hào)分離而開發(fā)的SPDT開關(guān)。

　　【產(chǎn)品特征】

　　特征1　同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高隔離度和低插入損耗

　　完成了高隔離度的電路設(shè)計(jì)和減少了IC芯片、封裝內(nèi)的寄生電容，從而實(shí)現(xiàn)了高隔離度(70dB@250MHz, 60dB@2.2GHz)的特性，并且實(shí)現(xiàn)了很難同時(shí)共存的低插入損耗(0.50dB typ.@f=2200MHz)。

　　特征2　采用了小型、超薄型封裝

　　NJG1666MD7采用了小型、超薄型封裝EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.)，實(shí)現(xiàn)了比以往產(chǎn)品(NJG1512HD3：2.0×1.8×0.8mm)28%面積的節(jié)減，使安裝基板節(jié)省了空間并可小型化。

　　特征3　實(shí)現(xiàn)了高ESD(Electrostatic Discharge)耐壓

　　內(nèi)置有保護(hù)器件，從而實(shí)現(xiàn)了在MM(Machine Model)機(jī)器放電模式上可200V以上和在HBM(Human Body Model)人體放電模式上可3000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)耐圧。